GT060N10M دیتاشیت

GT060N10M

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت GT060N10M
حجم فایل 83.745 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت GT060N10M

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD GT060N10M
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 214W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 60nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.351nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.9V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 12pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,20A
  • Package: TO-263-2
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه